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高细分两相混合式步进电机驱动芯片 THB9128H

 
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产品介绍

一、芯片概述

THB9128H 是一款专为两相混合式步进电机设计的高细分驱动芯片,采用 HZIP25-1.0 封装,具备双全桥 MOSFET 驱动结构,能为步进电机提供稳定、高效的驱动方案,适用于对电机控制精度和驱动性能有较高要求的场景,工业自动化、机器人、数控设备等应用。


核心特征

  1. 驱动能力强劲:采用双全桥 MOSFET 驱动,导通电阻低至,最高耐压达 40VDC,峰值大电流为 3.6A,可满足不同功率步进电机的驱动需求。

  2. 细分功能灵活:支持多种细分模式选择,包括 1、1/8、1/16、1/128 细分,用户可根据实际控制精度需求,通过 M1、M2 引脚进行设置,有效降低电机运行时的振动和噪音,提升控制精度。

  3. 衰减方式多样:提供快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式,可通过 FDT 引脚的输入电压进行选择,以适配不同工况,优化电机驱动效果,减少电机发热,提高运行稳定性。

  4. 完善的保护与控制功能:具备待机控制、复位、使能等功能,同时内置温度检测(TSD),当芯片温度达到 180℃时会触发保护,温度下降 40℃后恢复正常,保障芯片安全可靠运行。


三、管脚说明

THB9128H 芯片共 25 个引脚,各引脚功能如下表所示,涵盖信号输入、电源连接、电机输出、检测反馈等多种类型,满足电机驱动的各类控制与连接需求:


管脚号符号功能说明
1CW/CCW正/反转控制输入
2CP脉冲信号输入
3OSC1斩波频率设定电容连接端
4OSC2通电锁定时间设定电容连接端
5FDT衰减模式选择电压输入
6VREF电流设定电压输入
7GND信号地
8–17OUTxA/xBA/B 相输出与电源地
18VM电机电源输入
19–20VREG1/2内部稳压器电容连接端
21ST/VCC待机控制/逻辑电源
22–23M1, M2细分设置输入
24ENABLE使能控制(高阻输出)
25RESET复位输入(低电平有效

四、核心特性参数


参数项目参数值/说明
驱动结构双全桥 MOSFET 集成驱动
导通电阻 (Ron)0.45 Ω (典型值,上桥+下桥总和)
电源电压最高 40 VDC (绝对最大额定值 36V)
输出电流峰值电流:3.6A
持续电流:2.6A (典型) / 3.5A (最大)
微步细分通过 M1, M2 引脚轻松选择:1, 1/8, 1/16, 1/128
衰减模式通过相关引脚电压配置 快衰减、慢衰减、混合衰减

五、绝对最大额定值

条件: Ta = 25°C

参数符号额定值单位
最高电源电压VMmax36V
最大输出电流Iomax3.5A
最高逻辑输入电压VINmax6V
VREF 最高输入电压VREFmax3V
工作环境温度Topr-20 ~ +85°C
存储温度Tstg-55 ~ +150°C
注意:超出此范围工作可能会对芯片造成永久性损坏。


六、正常运行参数范围

条件: Ta = -20 to +85°C

参数符号最小值典型值最大值单位
逻辑输入电压VIN4.55.06V
电源电压VM92436V
输出电流Io2.63.5A
电流设定端电压VREF03V


七、关键电气特性

条件: Ta = 25°C, VREF = 1.5 V, VM = 24 V

参数符号条件典型值单位
待机消耗电流IMstnST="L" (待机模式)200μA
正常工作消耗电流IMST="H", 无负载4mA
过热关断温度TSD
180°C
热关断迟滞ΔTSD
40°C
输出导通电阻 (上臂)RonuIo=1.5A0.30Ω
输出导通电阻 (下臂)RondIo=1.5A0.25Ω
斩波频率FchCosc1=100pF100kHz
内部稳压器1输出Vreg1
5.0V
内部稳压器2输出Vreg2
11.0V


八、控制功能参数

1.电流设定

VREF 为电流设定端,电机驱动电流值(Io)可通过调整 VREF 引脚的输入电压进行设定,计算公式如下:

其中,Rs 为 NFA(A 相)或 NFB(B 相)外接的电流检测电阻。
Io(100%)=VREF*(1/5)*(1/Rs)

示例:当 VREF=1.5V,Rs=0.15Ω 时,设定的电机驱动电流

Iout = (1.5V/5) / 0.15Ω = 2.0A

2.衰减模式选择 (FDT 引脚电压):

电压范围 (VFDT)衰减模式
≥ 3.5V慢衰减 (Slow Decay)
1.1V ~ 3.1V混合衰减 (Mixed Decay)
≤ 0.8V快衰减 (Fast Decay)


3.
细分设置 (M1, M2 引脚逻辑电平):

M2M1细分数微步数/步
LL11
LH1/88
HL1/1616
HH1/128128


4.斩波频率设定功能

斩波频率由 OSC1 端子与 GND 之间连接的电容(Cosc1)决定,计算公式如下:

Fcp = 1 / (Cosc1 / 10×10-6) (Hz)

示例:当 Cosc1=100pF 时,斩波频率计算如下:

Fcp = 1 / (100×10-12 / 10×10-6) = 100(kHz)

合理设定斩波频率,可平衡电机驱动性能与芯片功耗,一般根据电机规格和实际应用场景进行调整。


九、封装尺寸

THB9128H 芯片采用 HZIP25-1.0 封装,具体尺寸参数如下表(单位:mm/inch),在 PCB 设计和芯片安装时,需参考该尺寸确保布局合理和安装适配:


尺寸符号毫米 (mm)

英寸 (inch)


最小典型最大最小典型最大
A4.454.504.650.1750.1770.183
B1.801.902.000.0700.0740.079
C
1.40

0.056
D0.750.901.050.0290.0350.041
E0.370.390.420.0140.0150.016
G0.801.001.200.0310.0400.047
G123.7524.0024.250.9350.9450.955
H28.5029.2329.301.1391.1501.153
H1
17.00

0.669
H2
12.80

0.504
H3
0.80

0.031
L22.0722.4722.870.8690.8840.904
L118.5718.9719.370.7310.7470.762
L215.5015.7015.900.6100.6180.626
L37.707.857.950.3030.3090.313
L4
5.00

0.197
L5
3.50

0.138
M3.704.004.300.1450.1570.169
M13.604.004.400.1420.1570.173
N
2.20

0.087
O
2.00

0.079
R
1.70

0.067
R1
0.50

0.020
R2
0.30

0.012
R3
1.25

0.049
R4
0.50

0.020


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